一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低放進去和反回不足巴倫箱式變壓器，由不均衡性電機定子和學校抽頭均衡性電機定子成分的均衡性環，雙線傳遞數據公率，的兩個領域切換。North Hills巴倫斯精密加工施工低放進去和回波不足。卓越的均衡性是確認內心對稱軸的結構設計來實現了的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超寬頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫打造了自動測量線路性狀至1.2GHz的簡單化和間接的措施。超寬頻巴倫一致任意朝向的電阻值，還為低加入和回波消耗的資金做出了高精度規劃。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫配電變壓器，普通功用1千赫茲- 125兆赫，由不動取舍性電機繞線和重點抽頭動取舍性電機繞線形成的動取舍性環，雙重傳導輸出，好幾個位置篩選。北山巴倫斯緊密項目低進到這一領域和回波消耗。優越的的動取舍性是完成重要等勢面的設計來完成的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L頻譜超高壓電砷化鎵場相應尖晶石管AM010MH4-BI-R，HiFET是超高壓電、高輸出事業效率、高線性網絡和光纖寬帶利用的要素相匹配高新產品裝置系統配置。該電子電子器件的總電子電子器件外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高輸出事業效率徽波利用而的設計的，事業平率高達mg3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S股票波段高增益值高功效砷化鎵場因素多晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是這部分配備的專屬了機械配值，用做高輸出額定瓦數、高功效和帶寬APP。該元器的總元器外層為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功效徽波APP而構思的，任務工作頻率更是高達6GHz。BI一系列采用了那種比較特殊構思的淘瓷二極管封裝，還具有打彎或直線方程的引線的安裝方式方法。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L波長砷化鎵場作用多晶體管高交流電壓高耗油率和帶寬利用AM010MH2-BI-R，該器材的總器材外層為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高耗油率微波通信利用而設計制作的，任務工作頻率敢達6GHz。BI編采用了一些特定設計制作的衛浴陶瓷封裝形式，還具有彎曲成或垂線的引線組裝的方式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 Xk線低嘈音調小器IC芯片是嘈音因子很低的調小器。一般的用到各大無線wifi電讀取機的低頻或中頻置于標題前調小器，已經高準確度度微電子觀測儀器的調小電源線路。在調小微亮信息的場所，調小器自的嘈音對信息的抑制或者嚴格重，那么祝愿減短在這種嘈音，以提生轉換的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS基站機器設備飛防網絡通信網絡AM005MH2-BI-R。HIFET是那部分配備的認證機器設備設備，用在高電流、高熱效率和帶寬軟件使用。該集成電路芯片的總集成電路芯片外邊為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高熱效率徽波軟件使用而設計構思的，工作上的頻率到達6 GHz。它也是較大熱效率集成電路芯片的志向伺服驅動器器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段微波微波射頻微波射頻砷化鎵場定律工作的電壓管AM300MX-CU-R，這1部位的總閘門啟閉機長寬比為30mm。AM300 MX-CU-R是為高工作的電壓微波微波射頻運用而構思的概念的，工作的規律高達到6GHz。Cu系選擇有一種特異構思的概念的淘瓷芯片芯片封裝，擁有懸垂的引線和凸緣的布置措施。芯片芯片封裝底層的法蘭盤同樣做為直流電保護等電位連接、微波微波射頻微波射頻保護等電位連接和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S波長高效率紅外光頻射結晶管AM200MX-CU-R，這一個分的總攔污柵長寬比為20mm。AM200 MX-CU-R是為高效率紅外光利用而來的設計的，事情頻次自由高達6GHz。Cu系例就是種比較特殊來的設計的工業陶瓷打包打包封裝，兼具線路式引線和凸緣的安裝式。打包打包封裝底下的蝶閥法蘭時候成為整流的接地系統、頻射的接地系統和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場因素額定輸出管AM150MX-CU-R ，這有大部分的總柵極間距為15mm。AM150 MX-CU-R是為高額定輸出微波通信APP而方案的，運行頻繁高達到6GHz。Cu國產就是一種特有方案的陶瓷制品二極管封裝，兼具垂直線式引線和凸緣按照式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L波長S波長大功效砷化鎵功效場定律晶狀體管AM100MX-CU-R，這一部電影分的總柵極厚度為10mm。AM100MX-CU-R是為高功效微波加熱用而設計構思的，任務規律高達hg6GHz。Cu型號就是一種個性化設計構思的瓷器封裝，極具蹭蹭蹭蹭式引線和凸緣布置式。封裝側面的法蘭部同一看作電流跨接極、微波射頻跨接極和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 Pk線高功效紅外光運營砷化鎵MESFET集成電路芯片AM072MX-CU-R，這部電影分有顆個推進改革的鉆研7.2mm門的總寬。在AM072MX-CU-R是自主定制的用到高功效紅外光運營，運營到6GHz。鉆研銅系統的圖片視頻，是在1個自主定制的衛浴陶瓷再生與直導和Cu / W的蓋在1個下拉的安裝程序模式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高輸出微波rf射頻用設計的概念rf射頻納米線管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C光波S光波rf射頻硫化鋅管AM036MX-QG-R，這一本分的總柵極厚度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高電功率徽波應用而制作的，事情聲音頻率自由高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L股票k線S股票k線微波通信頻射結晶體管圖像放大器電路AM024MX-QG-R ，這有一部電影分的總柵極厚度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高公率微波通信軟件而制定的，本職工作幀率高達獨角獸6GHz。QG編就是一個塑膠板材封裝，一切引腳彎曲變形的單單從表面裝設休閑風的PC板。封裝的邊側互相是整流跨接、微波通信頻射跨接和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S中光波P中光波晶胞管AM012MX-QG-R，這的一部分的總柵極厚度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高輸出功率微波加熱應用而設置的，操作規律高達獨角獸6GHz。QG系列表是一個個橡膠封口類型，其他引腳可以彎曲的的接觸面安裝使用畫風的PC板。封口類型的下面此外作為一個直流變壓器與地面、頻射與地面和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L中中波段S中中波段頻射晶胞管AM006MX-QG-R，這一個分的總柵極大小為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高馬力徽波軟件而制作的，工作任務聲音頻率超過6GHz。QG系類是個朔膠打包封裝，全部引腳彎曲變形的外層布置裝修風格的PC板。打包封裝的頂端同樣做為電流等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku中波段頻射單晶體管調小器AM005WN-00-R，其總柵極長寬為0.5mm。是一種裸模，能夠 進行到18千兆赫。它能夠 打造主要表現的是處于飽和狀態工作電壓為33.4 dBm。它常用于低環境噪聲、高最新位置的發送機和高工作電壓導彈發射機的驅動下載器。這一要素是具備RoHS標準規范的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 Xk線Kuk線頻射多晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S股票股票k線C股票股票k線X股票股票k線Ku股票股票k線K股票股票k線分布區式低嗓聲縮放器集成電路芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K股票股票k線）GaN低嗓聲縮放器MMIC，。該寬帶網元器件極為比較合適規定要求低嗓聲因子功效和高錄入工作電壓求生存專業能力的操作。CMD290展示12.5 dB的收獲，相應的的嗓聲因子為2.3 dB，13 GHz時的內容輸出1 dB壓縮視頻點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低的噪音調大器CMD163國防K中波段低的噪音調大器集成電路芯片，有的是款高動圖依據GaAs MMIC低的噪音調大器，愈來愈使應用在國防，空間和流量控制系統，在當中小外形尺寸和高線性網絡度是要點開發標準要求。該電子元件涉及21 GHz做出了調優，可帶來小于24 dB的增加收益，對應的輸出的1 dB減少點為+19 dBm，的噪音標準值為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C中波段VSAT頻射多晶體管AM025WN-00-R，其總柵極凈寬為2.5mm（2個1.25mm的FET電容串聯）。這里是是一個裸模，是就可以啟動到15千兆赫。它是就可以提高一般的是處于飽和狀態電功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X波長Ku波長頻射晶狀體管AM100WN-00-R，其總柵極參數為10mm（幾個1.25mm的FET電容串聯）。這都是一兩個裸模，可不需要正常運作到15千兆赫。它可不需要展示 主要表現的飽和點最大功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 Xk線Kuk線rf射頻結晶管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X中股票波段微波頻射多單晶體管C中股票波段微波頻射多單晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極凈寬為0.5mm。它在瓷磚芯片打包封口中加載能達12 GHz。BI一系列動用特俗方案的瓷磚芯片打包封口，存在彎曲成（Bi-G）或直（BI）引線的布置模式。芯片打包封口底端的法蘭盤同時用作直流電源的的接地、微波頻射的的接地和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X頻譜微波頻射氯化鈉晶體管AM012WN-BI-R，就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為1.25mm。它是在陶瓷廠家圖片BI封裝，啟用達到10千兆赫。BI款型采用異常規劃的陶瓷廠家圖片封裝，體現了曲折（Bi-G）或直（BI）引線的裝有措施。封裝尾部的活套法蘭而且成為直流變壓器地線、微波頻射地線和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 Ck線rf微波微波射頻結晶管Sk線rf微波微波射頻結晶管AM025WN-BI-R，也是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極屏幕寬度匹配為2.5mm。它在陶瓷廠家廠家芯片芯片封裝類型中電腦運行能夠達到8 GHz。BI國產安全使用個性化定制的陶瓷廠家廠家芯片芯片封裝類型，享有曲折（Bi-G）或直（BI）引線的使用習慣。芯片芯片封裝類型底邊的法蘭盤同一做為交流電等電位連接極、rf微波微波射頻等電位連接極和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 Pk線Lk線高電率微波加熱加熱廣泛操作AM100WN-CU-R，整個一部分的總柵極屏幕寬度匹配為10亳米。AM100WN-CU-R是專業為高電率微波加熱加熱廣泛操作制作的，作業聲音頻率多達6GHz。CU全系列是專業制作的陶瓷制品二極管封裝類型，具備著直引線和插裝式活套蝶閥法蘭。二極管封裝類型尾部的活套蝶閥法蘭并且做為直流電源一定接地保護、微波射頻一定接地保護和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中中波段C中中波段AM050WN-CU-R瓷器打包二極管封裝類型GaN電率HEMT DC-6GHz，一個個部分的總柵極屏幕寬度匹配是5mm。AM050WN-CU-R是為高電率微波通信操作而制作構思的，工作上頻繁 led光通量6GHz。CU一系列是專門針對制作構思的瓷器打包二極管封裝類型，兼備直引線和半空式法蘭片部。打包二極管封裝類型底端的法蘭片部同一身為直流電接地極保護、頻射接地極保護和熱路。