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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極屏幕寬度匹配為2.5mm。它在瓷磚二極管封口中運營大約8 GHz。BI系類采用特色制作的瓷磚二極管封口，享有曲折（Bi-G）或直（BI）引線的配置方案。二極管封口底層的法蘭部直接算作整流與地面、微波射頻與地面和熱路。這臺分是符合標RoHS標的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
有效率散熱管的尾部

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機