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適用有經濟獨立柵極偏置調整的串行晶狀體管的GaN HEMT圖像功率放大器的線型增強

發布了用時：2018-05-04 13:53:07   ;  閱讀：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：實用體現了獨立空間柵極偏置管控的串聯納米線管的GaN HEMT縮放器的波形增進。 GaN HEMT具備有較高的輸入效果電耗油率強度和較寬的資源帶寬利用率。雖然，GaN HEMT的線型典型性地比GaAs元元器件封裝的線型更差。小編提供 好幾個種非常簡單的方式來挺高GaN HEMT的線型度。所提供 的方式是將元元器件封裝提成與單獨掌控的柵極偏置的電壓并接的多條子單位，后來將電耗油率合同心同德子單位輸入效果。飾演變成器..
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