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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極厚度為1.25mm。它是在瓷質廠家BI芯片二極管裝封，自動運行高至10千兆赫。BI全系列選用獨特裝修設計的瓷質廠家芯片二極管裝封，有屈曲（Bi-G）或直（BI）引線的連接方式。芯片二極管裝封上端的活套法蘭并且身為直流變壓器跨接極、頻射跨接極和熱路。莫言的作品分是符合要求RoHS規則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有用導熱的底端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機