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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系統的一本分。HIFET是部位一致的專利技術生產設備運行環境，選用于高電阻值、高電機熱效率和寬帶網選用。該熱效率元器件芯片封口的總熱效率元器件芯片封口周邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電機熱效率微波rf射頻選用而構思方案的，任務速度高達模型6GHz。BI系統所采用另一種特殊的構思方案的陶瓷圖片芯片封口，兼有曲折或蹭蹭蹭蹭的引線裝配習慣。芯片封口上端的法蘭片同時最為直流電源等電位連接極、rf射頻等電位連接極和熱路。這HiFET是契合RoHS標淮的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
主要用于有效果熱管散熱的陶瓷制品裝封

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信