L頻譜油田砷化鎵場作用結晶體管AM010MH4-BI-R
發布信息事(shi)件:2018-11-05 15:33:48 訪問 :1760
描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙類型GaAs HIFET的一本分。HiFET是壓力、高輸出、高規則化和寬帶網絡用的要素配比專利技術設施硬件配置。該器材的總器材外部為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高輸出紅外光用而制定的,本職工作規律達到3GHz。BI類型主要包括一項特有制定的衛浴陶瓷封裝,兼備耐折或蹭蹭蹭蹭的引線和凸緣進行安裝方試。封裝底下的活套法蘭同一時間當作直流電一定的接地、微波射頻一定的接地和熱路。這些HiFET是不符合RoHS標淮的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM010MH4-BI-R
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1周
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50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
用以有用蒸發器的瓷質封口
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信