一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅多晶硅上表明氮化鎵 (GaN) 高智能遷入率晶胞管 (HEMT) 的單支微波通信集成型電路系統 (MMIC)；CMPA1D1E030D采用0.25μm柵極尺寸生產生產工藝性。與硅相信較，GaN-on-SiC含有非常優秀的耐腐蝕性；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋高些的穿透場強；高些的飽和微電子漂移的效率和高些的傳熱性公式。

結構特征

27 dB 小警報增益控制值

30 W 先進典型 PSAT

工做(zuo)的電壓高(gao)至(zhi) 40 V

高擊穿電壓場強

較高溫度度操作

APP的領域

小行星通訊網絡下行時(shi)延(yan)

護膚品外形尺寸

描述英文：30瓦(wa)；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 最大功率放縮器

低(di)些頻(pin)繁 (MHz)：13750

是最(zui)高(gao)的平率(MHz)：14500

很高(gao)值輸出(chu)輸出(chu)(W)：30

增加(jia)收益值(dB)：26.0

學習(xi)效率（％）：25

工作上額定電壓(V)：40

的(de)形式：MMIC 裸片

芯片封裝(zhuang)品類：Die

的技術：GaN-on-SiC

山東市立維創(chuang)展(zhan)高新科技(ji)受限集團授權管(guan)理(li)經(jing)售(shou)CREE微波加熱配件，若是要(yao)購(gou)CREE設備(bei)，請點(dian)開一側售(shou)后去(qu)聯系(xi)自己！！！