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CREE的CMPA1D1E025F是款氫氟酸處理硅單晶硅上會按照氮化鎵 (GaN) 高自動化轉移率結晶體管 (HEMT) 的單支微波加熱整合電路原理 (MMIC)；選擇使用 0.25 μm 柵極面積拍攝施工工藝。與硅相對比較，GaN-on-SiC存在更佳非常好的性；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及更快的穿透場強；更快的飽和狀態智能電子漂移使用率和更快的傳熱因子。CMPA1D1E025 配用 10 高壓導線；25 mm x 9.9 mm；黑色金屬/淘瓷法蘭盤盤打包封裝就能夠實現了最完美的電力工程專用設備和熱固相關性。

特點

24 dB 小(xiao)數據信息(xi)增益值值

40 W 常見激光脈沖數據信息(xi) PSAT

特殊(shu)的電壓高至(zhi) 40 V

OQPSK 下 20 W 直線熱效率

A/B類高(gao)收獲；高(gao)效(xiao)化率 50 Ω MMIC Ku 頻(pin)率段(duan)高(gao)馬力調大器

選用教育領域

航天軍工用(yong)(yong)和(he)商業應用(yong)(yong) Ku 頻譜雷達探測(ce)

軟件型號規格

介紹(shao)：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 光(guang)波 GaN MMIC 電率擴大(da)器

最少(shao)的頻率(MHz)：13500

最(zui)高的人頻率(lv)(MHz)：14500

最好值打(da)印輸出(chu)最大功率(lv)(W)：25

增益值值(dB)：26.0

工(gong)作的(de)吸收率(lv)（％）：16

功率線電壓(V)：40

類形(xing)：封口的MMIC

封口類屬：法蘭部盤

技(ji)術(shu)性：GaN-on-SiC

東莞市立維創展自動化有局限工司授權文件代理(li)商(shang)CREE微波通信電子器件，若是要求(qiu)購(gou)CREE車輛，請點擊(ji)進入右方軟件(jian)客(ke)服關系(xi)我們都！！！