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Qorvo的(de)(de)TGA2573-2不(bu)是款移動寬帶，高馬力GaN HEMT放(fang)小器，采用(yong)了Qorvo生育的(de)(de)0.25-um GaN on SiC技(ji)術生產。事情幾率範圍為(wei)(wei)2至18 GHz，在30 V的(de)(de)漏極偏壓下，呈(cheng)現(xian)飽和狀態工作(zuo)輸出公率為(wei)(wei)40 dBm，PAE為(wei)(wei)20％，警(jing)報增益控制為(wei)(wei)10 dB。

TGA2573-2完全性篩選50歐姆，并在兩位RF端口處上集就成為(wei)了DC無復流(liu)電解(jie)電容，越來(lai)越適合適用商業服(fu)務和(he)民防相關聯(lian)軟件。

TGA2573-2是100％DC和晶圓上的RF測式，以(yi)確(que)定(ding)遵循機(ji)械性能規范化(hua)。無(wu)鉛(qian)且按照RoHS規格。

主要基本特征

• 平率的范圍：2至18 GHz
• PSAT：VD = 30 V時為40 dBm
• PAE：典例的20％
• 小網絡信號增益值：10 dB
• 回波消耗的資金：15 dB
• 偏置：VD = 30 V，IDQ = 500 mA，典范值VG = 2.3 V.
• 方法：在SiC上選擇0.25-um GaN
• 面積：2.55 x 5.54 x 0.1 mm

舉例應用