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他們行業報告一個高機械性能指標的GaN MMIC工作的質量變成器工作的在40MHz到400MHz直接。這一個進行80W智能（100US智能長寬比和10%占空比）MMIC循環法）傳輸工作的質量（P5dB），40MHz，50W質量為54%大概需要30%的質量在大一部分的期間頻譜，包括在400MHz時，質量急劇變低到30W，質量為22%。40-400MHz頻段的工作的質量增益值為25dB。這一個過寬帶網網機械性能指標是經由栽剪裝置來進行的。傳輸阻抗相配，并食用與眾不同的寬帶網網電線相配拓補學。倆種裝置的詳細說明開發技木應用并列出相配電線。指數公式保險條款-寬帶網網變成器，高端電壓技木應用，微波通信電子元器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
系例（圖2）。整流偏置電流值和微波射頻模擬內容輸出電位差一種HIFET基本都是1.4mm政府部門微型蓄電池的五倍。系統設計，很大是在底頻段。確認盡可能的挑選政府部門機組設配的各個和機組機組設配的用戶系例，我門應該優化系統HIFET模擬內容輸出電位差為將近50歐姆，以確保聯通寬帶能力。