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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具有著高模擬輸出電率密度單位和寬帶網絡寬下的提高錯誤率率。但GaN HEMT的非規則化度往往比GaAs器材的非規則化度差。論文提到了了種簡潔的的措施來糾正GaN HEMT的非規則化度。所提到的的措施是將器材劃分成與人格獨立有效控制的柵極偏置線電壓并接的二個子機組，但是上下聯機組模擬輸出做好電率搭檔。

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