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CREE的CMPA2735030是種表明氮化鎵 (GaN) HEMT 的單支微波射頻集合電路原理 (MMIC)。與硅或砷化鎵優于較，GaN極具十分優良的性能指標；屬于極高些的電壓擊穿場強；極高些的供大于求電子技術漂移能力和極高些的傳熱公式。與Si和GaAs尖晶石管比起較，GaN HEMT還帶來了更多的電功率規格和更寬的服務器帶寬。CMPA2735030比如多級電抗自適應工作效率拖動器構思設想，還可以保證非常的寬的帶寬的配置。

特色

載荷系數(shu)工(gong)作電壓(ya)達到 50 V

高熱擊穿場強

高度為 5mm x 5mm；QFN 封裝(zhuang)

較高溫度度施用

選用教育領域

軍用型和航天軍工用電磁聲(sheng)納輸(shu)出功率拖動器

新產品規格型號

講(jiang)述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 工作效率縮(suo)放(fang)器

最小速率(MHz)：2700

上(shang)限(xian)的頻(pin)率(MHz)：3500

較(jiao)高值(zhi)輸(shu)入(ru)電功(gong)率(W)：30

增益控制值(dB：)30.0

事情錯誤率(lv)（％）：45

額(e)定(ding)容(rong)量電流值(zhi)(V)：50

風格(ge)：離散(san)裸存儲(chu)芯片

封(feng)口行業類(lei)別：Die

系統：GaN-on-SiC

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