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CMPA1C1D060D是款氫氟酸處理硅多晶硅上選擇氮化鎵 (GaN) 高電子無線轉遷率多晶體管 (HEMT) 的單面微波射頻集成化控制電路 (MMIC)；CMPA1C1D060D廣泛應用0.25 μm柵極面積做成工序。與硅比起較，GaN-on-SiC有更進一步優異的的性；砷化鎵或硅基氮化鎵；是指越高的熱擊穿場強；越高的達到飽和狀態光學漂移利用率和越高的熱傳導常數。

功能

具(ju)備 26 dB 小數據增益控制值

60 W 常見 PSAT

額定電阻(zu)值高至(zhi) 40 V

高熱擊穿場強

低溫度把控

app教育領域

PTP 無(wu)線wifi網絡(luo)通訊

遙感衛星電(dian)訊上升時延

服務尺寸

描素(su)：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 輸出功(gong)率變小器

至少(shao)率(lv)(MHz)：12700

上限頻率(MHz)：13250

最好值輸出(chu)精度輸出(chu)(W)：65

收獲值(dB)：26.0

的效率（％）：30

額定值電(dian)流(liu)(V)：40

基本(ben)模(mo)式：MMIC 裸片

封裝形式等級(ji)分類(lei)：Die

水平相關(guan)的技(ji)術(shu)應用(yong)在各(ge)行(xing)各(ge)業包括珠寶檢測以及用(yong)：GaN-on-SiC