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CGHV96050F1是款碳化(hua)(hua)硅(SiC)基材上的氮化(hua)(hua)鎵(GaN)高電子(zi)遷移率(lv)晶體管(HEMT)。與(yu)其它(ta)同(tong)類產品相比(bi)，這些GaN內部搭(da)配CGHV96050F1具有(you)卓(zhuo)越的功率(lv)附帶效(xiao)率(lv)。與(yu)硅或砷化(hua)(hua)鎵相比(bi)較(jiao)，GaN具有(you)更(geng)加優異的性能；包含更(geng)高的擊穿場(chang)強；更(geng)高的飽和電子(zi)漂移效(xiao)率(lv)和更(geng)高的導(dao)熱系(xi)數。與(yu)GaAs晶體管相比(bi)較(jiao)，GaN HEMT還推(tui)出(chu)更(geng)高的(de)功率密度和更(geng)寬(kuan)的(de)帶寬(kuan)。CGHV96050F1使用金(jin)屬/陶瓷法蘭盤封裝形式(shi)，能夠實現最好電力(li)設備和熱穩(wen)定性。

特證

7.9–8.4GHz任務

80WPOUT（典型示范值(zhi)）

>13dB瓦數增加收益值

33%類型線形PAE

50Ω里面的(de)混搭(da)

<0.1dB功效減小

應用層面層面

通(tong)訊設(she)備(bei)衛星通(tong)訊設(she)備(bei)

地面上網絡帶寬

軟件型號規格

闡述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；輸(shu)入(ru)/的輸(shu)出配搭GaNHEMT

低些幀率(lv)(MHz)：7900

極限頻帶寬度(MHz)：8400

是最(zui)高(gao)的值導出電率(W)：50

增加(jia)收(shou)益(yi)值(dB)：13.0

能力（％）：33

電機額定功率電壓值(zhi)(V)：40

的(de)方式：封裝的(de)方式分立結晶體管

封裝樣式樣式品類：法蘭盤盤

能力應該用(yong)：GaN-on-SiC