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?CGHV50200衛星影像通信網氮化鎵高電子設備滲透率晶胞管CREE

披露時期:2024-01-16 17:16:48     看:893

CGHV50200F是種專門針對構思用在高效(xiao)化(hua)氮化(hua)鎵(GaN)高電子遷(qian)移率(lv)晶體管(HEMT);高增益(yi)和(he)寬帶寬性能(neng);從而(er)使得(de)CGHV50200F成(cheng)為(wei)了對(dui)流層(ceng)光學散射(she)通訊(xun)的(de)最佳選擇;4.4-5.0GHzC頻率(lv)段衛星通訊(xun)應(ying)用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭(lan)封裝形式。

CREE (17).png

癥狀

4.4–5.0GHz運作

180W常考PSAT

11.5dB常(chang)見(jian)的公率增益值(zhi)值(zhi)

48%比較常見(jian)交流電源利用率

50Ω內部(bu)兼容

廣泛應用科技領域

衛星影像通訊設備

逾越視(shi)野中——BLOS

形(xing)成對流層光(guang)纖激光(guang)切割機(ji)的散(san)射網絡通(tong)訊

廠品要求

描素:200瓦;4400-5000MHz;50Ω顯示/讀取兼容性(xing)測試(shi);氮化鎵高網(wang)絡遷(qian)出率(lv)晶胞管(guan)

最低值頻次(MHz):4400

至(zhi)高速度(MHz):5000

高值輸(shu)出精度工作效率(W):200

增益值值(dB):11.5

業務學習(xi)效率(%):33

額定負(fu)載電阻值(V):40

行(xing)駛(shi)(shi):打包(bao)封裝行(xing)駛(shi)(shi)分(fen)立氯化鈉晶體(ti)管(guan)

裝封形式(shi):法蘭盤(pan)盤(pan)

技術(shu)廣泛(fan)應用:GaN-on-SiC

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