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更新時(shi)間:2023-09-13 16:58:47 訪問:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電(dian)子遷(qian)移率晶(jing)體(ti)管(guan)(HEMT);高增益(yi)和寬(kuan)帶(dai)寬(kuan)性能。從而使得GTVA101K4特別(bie)適(shi)合(he)0.96–1.4GHz頻率段(duan)的(de)應(ying)用。GTVA101K4晶(jing)體(ti)管(guan)適(shi)合(he)于從UHF到(dao)1.4GHz的(de)特殊頻率段(duan)技(ji)術應(ying)用。
優點
輸人自適應
分類的(de)脈沖(chong)造成的(de)連續(xu)式(shi)波(bo)性能方面;960–1215MHz;50V;三(san)層;128μs脈沖(chong)發生器間距;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的(de)輸入輸出上(shang)班(ban)效應;上(shang)班(ban)效應=68%;增加收(shou)益(yi)值=17dB
無鉛并充分考(kao)慮RoHS標準化(hua)
操作域
統計放小器
CREE(科(ke)銳(rui)(rui))注冊于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)銳(rui)(rui)具備(bei)條件30多年(nian)后的(de)(de)(de)網絡帶寬(kuan)GAP原(yuan)板材(cai)料和(he)的(de)(de)(de)創新護膚品(pin)(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)就是一個完美的(de)(de)(de)構思戰(zhan)略合作好朋友,適用(yong)rf射(she)頻(pin)的(de)(de)(de)意愿,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為行業內人士新技術智領的(de)(de)(de)機(ji)子環保(bao)(bao)設備(bei)保(bao)(bao)證更強(qiang)的(de)(de)(de)瓦(wa)數和(he)更低的(de)(de)(de)功用(yong)損耗率。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最始于(yu)的(de)(de)(de)GaN基本的(de)(de)(de)材(cai)質材(cai)料LED成(cheng)品(pin)(pin)科(ke)技當先全中國,到微波加熱微波射(she)頻(pin)與(yu)mm波處(chu)理芯片成(cheng)品(pin)(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)于(yu)2017年(nian)拆分出徽(hui)波rf射(she)頻(pin)加盟品(pin)(pin)牌Wolfspeed,以移動寬(kuan)帶、大額定功率變(bian)大器物品(pin)(pin)為特性。
珠海(hai)市立(li)維創展科技(ji)開發是CREE的代理商商,得(de)到CREE紅外(wai)光集成電路芯片長處(chu)要貨方法,并長久的倉庫(ku)外(wai)盤,以備不(bu)時之需全球市面所需。
信息明白CREE徽波射頻徽波請彈框://anchor-appliance.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |