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公(gong)布時間間隔(ge):2023-06-08 16:49:38 查詢(xun):1189
CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子(zi)遷移率(lv)晶體(ti)管(guan)(HEMT),適(shi)用于1200至(zhi)1400MHz頻率(lv)段(duan)。GTVA12600具備輸入適(shi)配性(xing)能;高效化;和熱強(qiang)化包(bao)。
結構特征
發送適用
種類的單脈沖發生器CW性能方面(AB類);1200MHz;50伏;300μs脈寬規律;10%pwm占(zhan)空比;輸(shu)入(ru)工作電壓(P3dB)=600W;吸粉使用(yong)率(lv)=65%;增加(jia)收益值=18dB
能夠在單單脈沖場景下(xia),以600W傳輸電(dian)率安裝10:1電(dian)動(dong)機扭矩失(shi)諧(全(quan)部(bu)相位差):300μs脈寬頻次;10%pwm占(zhan)空(kong)比;VDD=50V;IDQ=100mA
摸特型號1C類(隨(sui)著AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并非常符(fu)合RoHS要(yao)求相關規(gui)定
用途
統計縮放器
CREE(科(ke)銳(rui))設立于(yu)1987年,CREE科(ke)銳(rui)應具(ju)30豐富的帶寬(kuan)GAP原(yuan)料料和不斷(duan)創新成品(pin)(pin),CREE科(ke)銳(rui)都是(shi)個齊(qi)全(quan)的設置配合(he)朋友,適用微(wei)波(bo)射(she)頻的具(ju)體需(xu)求,CREE科(ke)銳(rui)為行行業科(ke)技更優(you)的機(ji)氣機(ji)提(ti)高(gao)更強的電功(gong)率(lv)和更低(di)的能力耗損(sun)率(lv)。CREE科(ke)銳(rui)由最(zui)始于(yu)的GaN基本的材(cai)質材(cai)料LED企(qi)業服(fu)務(wu)水(shui)平最(zui)前沿全(quan)全(quan)球,到微(wei)波(bo)加熱頻射(she)與分米波(bo)集成電路芯片企(qi)業服(fu)務(wu),CREE科(ke)銳(rui)于(yu)2017年剝離出(chu)(chu)徽波(bo)rf射(she)頻品(pin)(pin)牌(pai)標志Wolfspeed,以(yi)寬(kuan)帶網、大輸(shu)出(chu)(chu)功(gong)率(lv)縮放(fang)器商品(pin)(pin)為特性(xing)。
佛山(shan)市(shi)立維創展(zhan)科技創新是CREE的經銷(xiao)(xiao)(xiao)處商,有了CREE微(wei)波射頻元器件封裝特點供貨(huo)營銷(xiao)(xiao)(xiao)渠(qu)道(dao)營銷(xiao)(xiao)(xiao)渠(qu)道(dao),并短期(qi)貨(huo)源現貨(huo)平臺,以期(qi)國內(nei)銷(xiao)(xiao)(xiao)售市(shi)場(chang)所需。
商品詳情分析CREE微波通信射頻微波通信請鼠標點擊://anchor-appliance.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |