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?SemiGen肖特基整流二極管

頒布(bu)日(ri)期：2023-05-29 17:00:04   ;  訪問 ：1056

SemiGen的硅肖特基二級管努力于40GHz左右枝術的應該用具體需求的設計。特異治療枝術實現了各方面復合所選材質計劃方案為低、中合高防護枝術應該用可以提供穩定性優勢可言。報告單是報告單是擁有嚴格規范把控電感的低阻值整流二極管，也能實現了至高速度。SemiGen肖特基電子元器件大家庭中的一員-二極管低聊天消耗和表現出色的TSS故而使電感稱得上了辦公頻段從S股票波段到Ka光波的觀測器/混頻器技術性利用十分解調器、低工率束縛器和快速路度控制開關的極佳進行。

癥(zheng)狀：

多(duo)結加工存儲芯(xin)片

低1/F空調噪聲

工(gong)作(zuo)小結(jie)濾波電容

采用(yong)：

適用到(dao)于混頻(pin)器(qi)、試探器(qi)、倍頻(pin)器(qi)達成和(he)解調器(qi)。

SemiGen是新加(jia)坡想開晶(jing)圓級rf射頻集成電路芯片潛力派制造廠商(shang)，從晶(jing)圓到芯片封裝集成電路芯片, 類(lei)目(mu)很多，從核工業級MIL-PRF 38534到警用MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen堅持(chi)創新驅動于具備(bei)非(fei)凡的服務質(zhi)量和靠得(de)住性。

成都市立維創展科技發展有效(xiao)平臺，授權許(xu)可代辦于中國大(da)區域劃分營銷SemiGen企業(ye)產品(pin)，并(bing)提高售前工程師和安裝技木認可工作。

詳情頁認識SemiGen請點(dian)擊進(jin)入(ru)：//anchor-appliance.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

0.250

0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

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20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

3.0

0.400

0.14

20.0

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SMB201

3.0

0.400

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20.0

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SMB202

3.0

0.400

0.12

20.0

-48

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3.0

0.400

0.14

20.0

-45

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4.0

0.425

0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

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SMB206

4.0

0.425

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20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

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0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

-48

SMB211

5.0

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SMB213

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20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

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SHB301

5.0

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25.0

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SHB302

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SHB303

5.0

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SHB304

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25

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SHB305

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SHB306

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SHB307

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SHB308

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0.14

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SHB309

6.0

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25.0

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SHB312

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25.0

-42

SHB315

6.0

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-40


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