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CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN on SiC高(gao)電子遷移率晶(jing)體(ti)管(HEMT)，適用于(yu)960至1215MHz頻率段。GTVA104001FA-V1具(ju)備輸(shu)入(ru)適配性(xing)能；高(gao)效率;及其具(ju)有無(wu)耳法蘭盤(pan)的熱高(gao)性(xing)能表面貼(tie)裝封(feng)裝。

特征描述

GaN on SiC HEMT工藝使(shi)用

聯通寬帶內壁(bi)復(fu)制粘(zhan)貼(tie)兼容性測試

多見的單脈寬CW機械性能；960–1215MHz；50V

讀取(qu)電率(lv)=410W

吸粉速度(du)=70%

增加收益值=19dB

脈寬頻次=128ms

pwm占空(kong)比(bi)=10%

無(wu)(wu)鉛并(bing)無(wu)(wu)法RoHS標準化約定(ding)

app

L頻譜雷達天(tian)線變小器

CREE（科銳(rui)）開(kai)設(she)于(yu)1987年(nian)，CREE科銳(rui)有著30多年(nian)后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)帶寬(kuan)GAP鋼筋取樣料和什么是創新(xin)服務，CREE科銳(rui)是一個個完整版(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)發合伙伙伴(ban)們，不符(fu)合頻射的(de)(de)(de)(de)(de)(de)使用需求，CREE科銳(rui)為行行業(ye)(ye)技術世界領先(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電腦(nao)設(she)備提(ti)拱更強的(de)(de)(de)(de)(de)(de)效率和更低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)效消耗的(de)(de)(de)(de)(de)(de)資金。CREE科銳(rui)由最準(zhun)備的(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaN材(cai)料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)特性LED產品(pin)技術性精(jing)英型世界最里(li)，到微(wei)波(bo)通(tong)信(xin)微(wei)波(bo)射頻與亳米波(bo)電源芯(xin)片產品(pin)，CREE科銳(rui)于(yu)2017年(nian)分離出微(wei)波(bo)加(jia)熱微(wei)波(bo)射頻企業(ye)(ye)Wolfspeed，以帶寬(kuan)、大額定功(gong)率擴大器的(de)(de)(de)(de)(de)(de)產品(pin)為優勢。

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