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CREE PTVA120501EA的LDMOSFET結構設計適用(yong)(yong)于1200至1400MHz頻(pin)率段的功率放(fang)大器應(ying)用(yong)(yong)領域。特性(xing)(xing)(xing)包括高增益和帶(dai)螺(luo)母(mu)固定法蘭(lan)盤的熱高性(xing)(xing)(xing)能封裝形(xing)式(shi)。PTVA120501EA-V1選用(yong)(yong)Wolfspeed領先的LDMOS工藝技術；PTVA120501EA-V1提供優(you)異的熱穩定性(xing)(xing)(xing)和優(you)異的安全可靠(kao)性(xing)(xing)(xing)。

基本特征

網絡帶寬設置匹配

高(gao)增益控制和高(gao)效(xiao)益分(fen)析

最(zui)基本特征的激(ji)光(guang)脈沖CW性能方面招生指標(biao)；1200–1400MHz

50伏

300ms單脈(mo)沖(chong)不間(jian)斷(duan)時刻

10%pwm占空比

P1dB時(shi)的轉換馬(ma)力54W

優質率55%

增加收益(yi)值(zhi)16dB

融合(he)化ESD保(bao)護區

低傳熱系數

無鉛并符合要求RoHS細則標準(zhun)

運用前沿技術

1200至1400MHz聲音(yin)頻率段的熱效率調小器；預警雷達(da)無線天線

CREE（科(ke)(ke)(ke)銳(rui)）建成于(yu)1987年(nian)(nian)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)應具30二十多(duo)年(nian)(nian)的(de)(de)寬帶(dai)網(wang)絡(luo)(luo)GAP鋼筋取樣料(liao)和(he)的(de)(de)創新(xin)類產品，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)也是(shi)個全面(mian)的(de)(de)的(de)(de)設(she)計合(he)伙(huo)小伙(huo)伴(ban)，完全符合(he)頻射的(de)(de)需求量(liang)，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)為(wei)行在業內(nei)能力領(ling)先(xian)地位的(de)(de)儀器(qi)設(she)配出(chu)(chu)示更強的(de)(de)額(e)定(ding)功率(lv)(lv)和(he)更低的(de)(de)基(ji)本(ben)功能耗損。CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)由最已經開始的(de)(de)GaN材料(liao)LED服務科(ke)(ke)(ke)技領(ling)先(xian)地位全球級(ji)，到微(wei)波(bo)通信(xin)微(wei)波(bo)射頻與毫米左右波(bo)單(dan)片(pian)機芯(xin)片(pian)服務，CREE科(ke)(ke)(ke)銳(rui)于(yu)2017年(nian)(nian)轉移出(chu)(chu)微(wei)波(bo)加(jia)熱(re)rf射頻項目(mu)Wolfspeed，以(yi)網(wang)絡(luo)(luo)帶(dai)寬、大公率(lv)(lv)拖動器(qi)車輛為(wei)標(biao)志性。

蘇(su)州市市立維創展科持是CREE的銷售商，擁有著(zhu)CREE紅外光電子元器件(jian)優(you)勢(shi)與劣勢(shi)供貨商渠道(dao)方式，并長(chang)時(shi)間庫存(cun)管理現貨黃金，僅作國家(jia)整個市場要。

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