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頒布時刻:2022-06-15 16:38:22 搜索:1385
氮化鎵(GaN)工作效率半導體行業技術工藝應該用為加強頻射/徽波電率放小器耐熱性簡單了龐然大物影響力。使用極大減少元電子元元器件封裝的附生電子元元器件封裝,備選更短的柵極寸尺和較高的線電壓幀率,GaN尖晶石管能夠滿足了比較高的輸出電功率、更寬的帶寬使用和速度更快的直流變壓器電壓頻射學習效率。
近年來以GaN面料為是(shi)的第三點代半導體材料器(qi)材的出(chu)生,GaN HEMT會因為其寬頻寬隙而廣受了解,高換熱性、高熱擊穿場強和高基線電子廠變更效率。研究背景GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
武漢市立(li)維創展自動化(hua)是(shi)Teledyne防務光學的供應商商,帶(dai)(dai)來Teledyne防務電(dian)子(zi)器(qi)材新產品包擴LDMOS、GaN、GaAs和(he)InP。Teledyne防務光電(dian)子(zi)產品設備(bei)線可(ke)以(yi)支持(chi)寬頻段、窄帶(dai)(dai)、電(dian)磁變成器(qi),速(su)度1MHz~220GHz,工作(zuo)效率mW~10kW,主要優勢橋梁帶(dai)(dai)來Teledyne防務電(dian)子(zi)廠備(bei)貨,誠邀咨(zi)詢中心(xin)。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |