制造業新聞
公布的時長:2022-05-23 16:52:02 預覽:1402
NEL Frequency Controls關鍵產量加工適用小規模、的規格調小封裝形式的超底相位低頻噪音水溫彌補(bu)尖晶石自(zi)激(ji)振蕩(dang)器 (TCXO)。需(xu)要高頻率(lv)、完全(quan)表征、“同類最佳”相位噪聲晶體振蕩器的用戶選擇(ze)NEL Frequency Controls頻率改善來擁有使用者的前段追求。可遵循追求提拱特低相位噪音的溫(wen)度(du)補償費硫化鋅(xin)自由振蕩(dang)器 (TCXO)軟件應用大力支持。
杭州(zhou)市(shi)立維創(chuang)展網絡有(you)限的集團公司,管理權(quan)限進口代(dai)理出(chu)售NEL Frequency Controls新(xin)產品,感謝(xie)與公司的銷售額建(jian)筑技術工程師溝通(tong)。
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極具(ju)低(di) G 靈(ling)巧度的非常低(di)的相(xiang)位嗓聲 | |
木箱和(he)系(xi)例品牌 | 本質特征 |
8 Pad | 17 x 14 x 6 mm | 10.0 - 125.0 MHZ Sine |
具有著(zhu)低 G 機靈度的鎖相處理 ULPN | |
標簽(qian)印刷和(he)系類(lei)稱呼 | 功能(neng) |
SMD 41 x 30 x 5.6 mm l 8 pads | 低 G 敏感度(du) (0.5 ppb/G) Sine |
41 x 30 x 5.6 mm l 8 Pad | 錄入:10.0MHz Sine |
“Europack” | 8 pin | 36 x 27 mm | 100 MHz 效果 |
超高相位嗓聲表(biao)面層(ceng)貼裝 | |
包裝和產品種類 | 頻繁 標準、 |
5 pin | 36 x 27 mm | 可(ke)以達到 2.0 GHz 超標頻位(wei)置
3.3V |
7Pad| 25 x 22 mm | 30.0 MHz - 2.0 GHz 超寬頻(pin)標準 CMOS 3.3V |
7Pad| 25 x 22 mm | 高達到(dao) 1.0 GHz 極高(gao)頻範(fan)圍 CMOS 3.3V |
7Pad| 25 x 22 mm | 可以達(da)到 2.0 GHz 較高頻條件 CMOS 3.3V |
8 Pad | 17 x 14 mm | 700.0 MHz - 2.0 GHz 低低頻噪音模以諧波倍頻 PECL/LVPECL
|
8 Pad | 17 x 14 mm | 10.0 – 250.0 MHz 尤其高的規律 全(quan)自動 SMD 二極管(guan)封裝(zhuang) 嚴格執行的的頻率安穩(wen)性(xing) Sine 3.3V |
8 Pad | 17 x 14 x 6 mm | 10.0 – 200.0 MHz 兼具優異溫穩(wen)定可(ke)靠性的高(gao)頻率 CMOS Stratum3 適用 3.3V |
8 Pad | 17 x 14 mm | 10.0 - 200.0 MHz 非常好的溫度(du)因(yin)素安全(quan)穩明確(que)低(di)頻(pin) CMOS 3.3V |
過(guo)低相位躁音外面(mian)貼裝 | |
產品(pin)包裝和題材各稱 | 的頻(pin)率位置、 |
6Pad| 14 x 9 mm | 12.0 - 125.0 MHz 高頻 CMOS/LVCMOS 1.8V |
越(yue)(yue)來越(yue)(yue)低相位(wei)噪音污染 薄型外層貼(tie)裝 | |
封裝和題(ti)材公司(si)名稱 | 幾率比(bi)率、 |
4Pad| 7.5 x 5.2 mm | 12.8 - 120.0 MHz 是低的相位(wei)背(bei)景(jing)噪(zao)聲 HCMOS 2.5V |
6Pad| 7.5 x 5.2 mm | 10 - 120.0 MHz 極(ji)為低的相位(wei)背景噪聲 LVDS 2.5V |
6Pad| 7.5 x 5.2 mm | 12.8 - 120.0 MHz 極為低(di)的(de)相位低(di)頻噪音 LVDS 2.5V |
面貼(tie)裝(zhuang) | |
包裝(zhuang)和(he)型號種類 | 幀率位(wei)置(zhi)、 |
6 J Leads | 14 x 9 mm | 10.0 - 52.0 MHz CMOS 3.3V |