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GaN材料是第三代(dai)半導體的(de)典型(xing)代(dai)表，具備寬(kuan)禁帶、高擊穿(chuan)場(chang)強、高熱(re)導率(lv)和(he)(he)高峰值電(dian)(dian)子(zi)漂移(yi)速度等優質性能。因此，GaN材料可以(yi)很(hen)好地(di)滿(man)足耐高溫(wen)、高頻率(lv)和(he)(he)功(gong)率(lv)大的(de)工作要求，GaN功(gong)率(lv)晶體管(guan)一直是L和(he)(he)S波段雷(lei)達系統中(zhong)線性和(he)(he)壓縮功(gong)率(lv)放大器的(de)有源元件。Gan功(gong)率(lv)晶體管(guan)可用(yong)作航(hang)空電(dian)(dian)子(zi)、商業服務、工業生(sheng)產、醫(yi)療(liao)設備和(he)(he)國防軍事用(yong)途的(de)電(dian)(dian)路和(he)(he)系統中(zhong)的(de)各種應用(yong)。它(ta)們都(dou)通過寬(kuan)帶gap GaN半導體(ti)材料(liao)的(de)作用，在小封裝中(zhong)產生高功(gong)率密度和高輸出(chu)功(gong)率電(dian)平(ping)的(de)RF/微波晶體(ti)管

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