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與硅相比較，Cypress 氮化鎵（GaN ）氯化鈉晶體管有(you)存(cun)在(zai)論的長處。特別(bie)是在(zai)是與硅MOSFET相比較(jiao)較(jiao)，高臨(lin)界狀態交變電(dian)場使得GaN -HEMT符合品質的最新導通熱敏電阻和較小的電容(rong)（電容(rong)器(qi)），格(ge)外(wai)符合于迅速面板開關(guan)采(cai)用行業。陸陸續續，Cypress 氮化鎵結晶管能能在較低過電壓時光的事情下進行，以不斷提高崗位的效率并完整普通攻擊閉式冷卻塔。在高電開關率下進行能能減小無源電子器件的容積怎么算，得以加快GaN  HEMT的健(jian)康安(an)全(quan)正規性和總(zong)公率溶解度。

Cypress GaN 輸出功(gong)率尖晶石管最大要的優點和(he)缺(que)點是其方(fang)向完全恢復(fu)性。鑒于英飛(fei)凌的Cool GaN ?硫化鋅管(guan)沒有(you)有(you)一些光電流和體穩壓(ya)管(guan)，但會同旁內角不可(ke)提(ti)示 交叉找回。那(nei)么，會應(ying)用龍圖(tu)騰極(ji)PFC等硬打開拓撲關系來完工更好(hao)的質(zhi)量，列舉在數據(ju)庫中心站和服務管(guan)理器(qi)電原(yuan)中，因(yin)此節儉生物質(zhi)能并消(xiao)減(jian)管(guan)理價格。

英飛凌的Cool GaN ?是快速率的(de)(de)氮化鎵尖(jian)晶石管技巧前(qian)沿技術，可在高至600V的(de)(de)輸出馬(ma)力(li)時間范(fan)圍內進行馬(ma)力(li)裝換。滿(man)腔熱(re)血(xue)在半導體芯片服務行業領域的(de)(de)多種(zhong)經(jing)驗，英飛(fei)凌的(de)(de)GaN 技木APP用端到端大(da)投資規模產量使e模型概念呢旺盛期(qi)。進階性的服務效(xiao)果保險了至高要求化(hua)，并提高了業內行業上全部的的GaN HEMT中最(zui)安全、安全性能更(geng)好的消除設(she)計(ji)。

Cypress 用于Cool GaN ?觸(chu)點電源(yuan)(yuan)線電路系(xi)統滿足更多的(de)能(neng)源(yuan)(yuan)技術效果(guo)和(he)電機功率(lv)體積，真(zhen)是首次進的(de)硅元器件(jian)沒有辦法達成(cheng)的(de)。在(zai)200-250khz及以上的(de)中(zhong)概率(lv)運營中(zhong)，旋轉開關(guan)進程是引(yin)響能(neng)源(yuan)(yuan)技術接入模式(shi)，的(de)關(guan)鍵因素。英飛凌Cool GaN ?超快的啟閉速率(lv)應該做好非常(chang)短的過電(dian)壓時候。其預(yu)測分析便用借款期限不在15年(nian)，機器(qi)電(dian)腦故(gu)障率(lv)會不大于1，老客戶需要依賴其穩定安全性和商產(chan)品量。

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近些年(nian)，立(li)維(wei)創展都有Cypress品牌(pai)標志，現貨平臺庫(ku)存積壓

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