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Custom MMIC采用我們最領先的超低噪聲0.15μmp HEMT和0.25μmE-p HEMT工藝技(ji)術提供各(ge)種各(ge)樣分(fen)立晶體管組(zu)件。Custom MMIC分(fen)立晶體(ti)管GAASPHEMT允許客(ke)戶在設計低噪聲放大器(LNA)電(dian)源(yuan)電(dian)路時完全控制。各(ge)(ge)種(zhong)各(ge)(ge)樣(yang)分(fen)立式FET提(ti)供低至0.15dB的(de)NF（最(zui)小(xiao)值），并可在高達22GHz的(de)工作頻率下使用。Custom MMIC還提供相匹(pi)配對晶體(ti)管(guan)，特別適合平衡LNA設計方案。

關鍵結構特征

超高嗓聲(sheng)標準值–低至0.15dBNF（最少(shao)值）；

可(ke)提高(gao)裸片或(huo)封裝形式形式；

應該用行業

通信網絡(luo)移動移動基站；

中國國防通信網絡；

點對點通信(PtP)wifi手機電；

東(dong)莞 市立(li)維創展(zhan)創新科技是CUSTOM MMIC的(de)零售商(shang)商(shang)，立(li)維創展(zhan)請求選(xuan)用達到使用需求的(de)最適合自己的(de)MMIC調整微(wei)波(bo)加熱微(wei)波(bo)rf射(she)(she)頻微(wei)波(bo)rf射(she)(she)頻數據信息鏈。CUSTOM MMIC也是個完好(hao)性(xing)的(de)ISO認真和相同型完美MMICs生(sheng)產商(shang)商(shang)。銷售迅猛增速的(de)高能力頻射(she)(she)/紅外光微(wei)波(bo)射(she)(she)頻MMIC產品設(she)備編。