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GaAs MMIC變(bian)(bian)成器(qi)(qi)(qi)指(zhi)的(de)(de)(de)是用途砷(shen)化(hua)鎵(jia)半導(dao)體技術原材(cai)(cai)料營造確保(bao)的(de)(de)(de)，它在(zai)600℃之(zhi)內，能在(zai)水(shui)汽中(zhong)控制安全穩定發生，并(bing)且(qie)不被非氧化(hua)的(de)(de)(de)性(xing)的(de)(de)(de)酸浸蝕。為(wei)此GaAs MMIC放(fang)小器(qi)(qi)(qi)時常迎著中(zhong)率(lv)、大馬力(li)和低躁(zao)聲的(de)(de)(de)地方盡快壯大。因GaAs原材(cai)(cai)質料的(de)(de)(de)傳熱因子僅有(you)Si的(de)(de)(de)四分之(zhi)六，其(qi)半導(dao)體功(gong)率(lv)器(qi)(qi)(qi)件元功(gong)率(lv)器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)(de)是真的(de)(de)(de)嗎性(xing)就(jiu)會變(bian)(bian)得很突出。GaAs MMIC縮放(fang)器(qi)(qi)(qi)必備(bei)細(xi)小(xiao)化,毛重輕,成本(ben)投入低和高(gao)不(bu)靠(kao)譜性等資源優勢。

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