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XC2100E-03S是一種(zhong)低剖面(mian)，高性能的(de)(de)3dB混合耦合器(qi)在一個(ge)新(xin)的(de)(de)易于使用(yong)，制(zhi)造友(you)好的(de)(de)表面(mian)安裝包(bao)。它(ta)是為NMT波段應用(yong)而(er)設計的(de)(de)。XC2100E-03S是專為平衡(heng)功率(lv)和低噪聲放大器、信號分配和其(qi)他需要低插入損(sun)耗和緊(jin)密幅度相位平衡(heng)的(de)應用(yong)而設計(ji)的(de)。它可用(yong)于(yu)高達45瓦的(de)大功率(lv)應用(yong)。零(ling)件經過嚴格的(de)鑒定測(ce)試，并使用(yong)熱膨(peng)脹系(xi)數（CTE）與常見基板(ban)（如FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亞胺）兼容的(de)材(cai)料(liao)制造。可用(yong)于(yu)5/6錫鉛（XC2100E-03S）和6/6符(fu)合(he)RoHS標準的浸(jin)錫(xi)（XC2100E-03S）。

XC2100E-03S有(you)特點：

?2.0 - 2.3GHZ

?不不超

?十分低的耗損率

?密不可分振動(dong)幅度(du)均衡(heng)

?高隔開度

?加工友善型

?磁帶和卷盤

?可以提供無鉛(qian)（無說）或錫(xi)鉛(qian)

?可靠，擬(ni)合(he)度=0.53

XC2100E-03S為重要數據

工作頻率(lv)（GHZ）：2.0 - 2.3

輸出(chu)功率（W）：100

回波衰減(jian)（dB）：24.9

復制到(dao)耗用（dB）：0.12

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