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JP503AS低剖面,高耐腐蝕性3dB分層合體器正品貨存

上線(xian)日子:2020-04-01 08:51:37     瀏(liu)覽訪問:1777

JP503AS是(shi)(shi)一(yi)(yi)個低(di)剖面(mian),高(gao)性能的(de)(de)3dB混合(he)耦合(he)器(qi)(qi)在一(yi)(yi)個易于使用,制造友好的(de)(de)表面(mian)安裝(zhuang)包。它是(shi)(shi)為W-CDMA和(he)(he)(he)其他3G應用而(er)設計的(de)(de)。JP503AS是(shi)(shi)為平衡放大(da)器(qi)(qi)、可變(bian)移相器(qi)(qi)和(he)(he)(he)衰減器(qi)(qi)、低(di)噪聲放大(da)器(qi)(qi)、信號分配而(er)設計的(de)(de),是(shi)(shi)無線工業日益增長(chang)的(de)(de)小型印刷電路板(ban)和(he)(he)(he)高(gao)性能需求的(de)(de)理(li)想解決方案。零件(jian)經過(guo)嚴格(ge)的(de)(de)鑒定測試,并(bing)使用熱膨脹系數(shu)(CTE)與常(chang)見(jian)基板(ban)(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和(he)(he)(he)聚(ju)酰亞(ya)胺)兼容的(de)(de)材料制造。采(cai)用6/6符合(he)RoHS標準的(de)(de)浸錫處(chu)理(li)。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS特(te)性(xing):

2.0–2.3千兆赫(he)。

3G頻點

低耗損

高分隔度

90°正交

漆層(ceng)貼裝

磁帶(dai)和卷(juan)盤

無(wu)鉛

100%檢測

JP503AS更重要主要參數

規(gui)律(GHZ):2.0 - 2.3

輸出(chu)(W):25

回(hui)波耗費(dB):20.8

進(jin)到這一(yi)領(ling)域(yu)自然損耗(dB):0.30

廣州 市立維創展高(gao)新(xin)科技(ji)有限(xian)制(zhi)單位Anaren企業的代里經售商,首要具備貼片混合法交叉交叉耦合器、巴倫低壓變壓器、延緩線、定向培養交叉交叉耦合器、Doherty合(he)路器(qi)(qi)、功分器(qi)(qi)、微蜂窩型耦(ou)合(he)電路器(qi)(qi)、 RF Crossovers好(hao)服(fu)務,好(hao)服(fu)務原裝機(ji)交易量,比較有價錢資(zi)源(yuan)優勢,迎接資(zi)詢

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