一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品_CGHV1J006D高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管现货

CGHV1J006D各類高壓氮化鎵（GaN）高微電子遷入率單晶體管現貨黃金

推送(song)時間間隔：2019-02-22 14:16:56 挑(tiao)選(xuan)：1824

6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯
SKU：CGHV1J006D

Wolfspeed的CGHV1J006D是一種種用于0.25μm柵極(ji)高度(du)制做工藝設計(ji)的增碳(tan)硅襯底(di)上(shang)的高壓低壓氮化鎵（GaN）高電子為(wei)了滿足電子時(shi)代發展的需求，移動(dong)率(lv)納米線管（HEMT）。一種GaN-on-SiC護膚品具備(bei)有很棒的中頻，提高效率(lv)基本特(te)性。它選用于于工作的率(lv)范(fan)圍圖(tu)為(wei)10 MHz至18 GHz，40 V且擁有高熱擊穿額定電壓的各種各樣的選用。

特征

高達hg18 GHz的實際操作

品牌	型號	貨期	庫存
CREE	CGHV1J006D	1周	200

若是您須要定購CGHV1J006D，請點擊率一側微信客服連續他們！！！

基線輸入輸出(chu)工作效率		6W
選(xuan)用		通用型(xing)寬帶網，40 V
非常典型(xing)的(de)電(dian)功率追(zhui)加工作效率PAE		60％@ 10 GHz
典(dian)型示范最大(da)功(gong)率（PSAT）		6瓦(wa)
工(gong)作的(de)電流		40 V
規律		DC - 18.0 GHz
再生類型的		死
小數字信號收(shou)獲		17 dB @ 10 GHz

示意圖

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CGH40006S射頻微波6W高電子遷移率晶體管現貨