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CGHV1F025S是(shi)一(yi)款無與倫比的(de)氮(dan)化鎵(jia)（GaN）高(gao)電子(zi)遷移率晶(jing)(jing)體管（HEMT），專為高(gao)效(xiao)率，高(gao)增(zeng)益和寬帶寬功能而(er)設計。該(gai)器件可(ke)用(yong)于L，S，C，X和Ku波(bo)段放(fang)大(da)器應(ying)用(yong)。數據手冊規格基于X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放(fang)大(da)器。CGHV1F025S采用(yong)40伏軌(gui)道電路(lu)，采用(yong)3 mm x 4 mm表面貼裝雙扁平無引線（DFN）封裝。在功耗降低(di)的(de)情況下，晶(jing)(jing)體管可(ke)以在低(di)于40V的(de)電壓(ya)下工作(zuo)至低(di)至20V的(de)VDD，從而(er)保(bao)持高(gao)增(zeng)益和高(gao)效(xiao)率。