Sk線高壓電砷化鎵場相互作用晶胞管AM030MH4-BI-R
頒布期限:2018-11-07 11:32:45 瀏覽訪問:1705
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系例GaAs HIFET的一一些分。HIFET是一些完全符合的實用新型系統性能的高相電壓,高本職工作效率,高線路度和網絡帶寬適用。該電子器材的總電子器材外面為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高本職工作效率紅外光適用而設定制作的,本職工作頻率更是高達3GHz。BI系例通過一種生活特色設定制作的工業陶瓷打包封裝類型,存在彎曲變形或線路的引線和凸緣布置方試。打包封裝類型邊側的卡箍同時做直流電源與地面極、微波射頻與地面極和熱路。這HiFET是完全符合RoHS細則的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
代替更好排熱的工業陶瓷封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信