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ABSD-10169PSM一款使用的3mm QFN從表面(mian)貼裝芯片(pian)封裝的GaAs有源MMIC穩(wen)定-不和(he)平(ping)更換器。其聲音頻率范疇從DC到30 GHz，展示 9 dB單(dan)端到差分(fen)增(zeng)益值（中低受DC塊(kuai)局限性）。3mm QFN封裝形式是種(zhong)無(wu)(wu)鉛(qian)、提供(gong)RoHS準則(ze)化的芯片(pian)封裝，與(yu)準則(ze)帶鉛(qian)和(he)無(wu)(wu)鉛(qian)焊(han)料流回兼容。打造連(lian)到化評(ping)價包。ABSD-10168PSM是系(xi)數轉變成器有源單(dan)端到差模轉變成和(he)高階奈奎斯特(te)取樣的期望(wang)首選。

主耍特色

高(gao)頻率(lv)回應，兼容將高(gao)達30 GHz的操控。

一(yi)般來(lai)說用作50Ω系統(tong)（100Ω差分(fen)讀取(qu)）。

提供(gong)了(le)更高(gao)的線(xian)形(xing)度和低環(huan)境噪聲(sheng)安全性能。

精細的芯片封裝(zhuang)盡寸(cun)，優(you)勢于集成化到狹窄的電源線(xian)方案中。

技術水平數據

或然非常高電機額(e)定功率值(zhi)：

漏極感應電流（Id）：160 mA（無RF選用時(shi)）

高(gao)達工做攝(she)氏度：85°C

至高(gao)數據(ju)存儲(chu)溫濕(shi)度(du)：150°C

最低的工作中溫：-40°C

低(di)儲存溫度表：-65°C

RF導入公率：10 dBm

總整流(liu)開關電源輸出功率（Vd-Vs）：11 V

打包封裝圖片信息：

ESD（電磁干擾蓄電池(chi)充電）：< 50 Volts，HBM 0Z

規格(ge)為(wei)：3 x 3 mm

絕對濕度(du)遲鈍度(du)層級：MSL 1

應(ying)用領(ling)域場景設計(ji)

微波射頻(pin)射頻(pin)和微波射頻(pin)設(she)計：適用(yong)性于需用(yong)單(dan)端數據(ju)與差分數據(ju)改(gai)變的低頻控制系統。

法向齒轉換成器（ADC）最前端：將(jiang)單(dan)端數(shu)字表(biao)現切換為差分(fen)數(shu)字表(biao)現，以增長抗騷擾效果(guo)和數(shu)字表(biao)現刪改性。

流量軟(ruan)件：用到信號(hao)燈的電(dian)位差(cha)匹配好和共模(mo)嗓聲緩和。

預警雷達系(xi)統的：在汽車雷(lei)達讀(du)取鏈接中，將單端電磁波(bo)切換為差(cha)分電磁波(bo)以認(ren)知極速數字式(shi)三極管。

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