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?第四代650 V裸片SiC MOSFET

發布了時(shi)段:2025-01-03 16:57:39     訪(fang)問 :630

行行業超頂尖導通阻值和旋轉開關耗費,會達到較佳能和功效體積密度指標。

Wolfspeed只能根據第四代650 V SiC MOSFET延長(chang)了其氧化硅(SiC)工藝(yi)上的制約主(zhu)導力量。在(zai)更(geng)(geng)全面性(xing)的電(dian)(dian)(dian)(dian)業(ye)能源裝置中無法體(ti)(ti)積(ji)更(geng)(geng)小、體(ti)(ti)積(ji)更(geng)(geng)輕、更(geng)(geng)大效的電(dian)(dian)(dian)(dian)業(ye)能源圖片轉換。650 V SiC MOSFET是耐磨(mo)性(xing)有遠見(jian)行業(ye)供(gong)電(dian)(dian)(dian)(dian)、安全服務器ip/中國移動(dong)(dong)網(wang)絡數據外接電(dian)(dian)(dian)(dian)源、電(dian)(dian)(dian)(dian)動(dong)(dong)四輪物流(liu)車(che)技(ji)術電(dian)(dian)(dian)(dian)動(dong)(dong)四輪車(che)(EV)電(dian)(dian)(dian)(dian)動(dong)(dong)車(che)充電(dian)(dian)(dian)(dian)設(she)施(shi)、儲能技(ji)術設(she)施(shi)設(she)備(bei)、應急指揮主(zhu)機電(dian)(dian)(dian)(dian)源(UPS)和電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)充電(dian)(dian)(dian)(dian)監管控制系統等作用(yong)的較(jiao)佳使用(yong)。

特殊性

溫度過(guo)低(di)壞(huai)境的低(di)導通電阻(zu)功率

低生存電(dian)容(rong)(rong)(電(dian)容(rong)(rong)器)

遵循越來越低(di)逆(ni)向修復的高效性穩壓管

定期氣溫控(kong)住(Tj=175°C)

MOSFET.png

優缺點

經由整改電源開(kai)關和傳(chuan)輸數據耗費增加機器能力

確保高啟閉速率超控

增進控制系(xi)統級工(gong)作(zuo)效率比熱容性能(neng)指標

降(jiang)底平衡(heng)裝置規格;總重;和水冷卻(que)必須(xu)

經典應用軟件

企業24v電源

售后(hou)客戶端/電信wifi網絡(luo)wifi網絡(luo)

能源技術充電站樁保(bao)護裝置

儲能技術主(zhu)設備(ESS)

急救電(dian)源線(xian)(UPS)

干電池操(cao)作(zuo)控制系統(BMS)

CREE科(ke)銳(rui)于2017年分離(li)出來出微波(bo)加熱微波(bo)射(she)頻(pin)加盟品牌Wolfspeed,以(yi)寬(kuan)帶(dai)網絡、大功效變小器(qi)物料為特性。

珠海市立維創(chuang)展科技創(chuang)新是CREE的(de)經售商,擁有的(de)CREE微波通信器材優越供貨(huo)期的(de)渠道(dao),信用卡做到原版正.品。

*大部分(fen)規(gui)格型(xing)號需申請書歐美(mei)進(jin)出口經營許(xu)可資料。商(shang)品(pin)詳情明白(bai)太(tai)多(duo)參(can)數,青(qing)睞諮詢立維(wei)創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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