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ADRF5026不是種非射線、單極、雙擲（SPDT）rf射頻（RF）旋鈕，并選擇硅工藝流程技術工藝。

ADRF5026的(de)頻段超范圍(wei)為(wei)100 MHz至44 GHz，進到這(zhe)一領域耗用遠超3.8 dB，底(di)部隔離度為(wei)45 dB。ADRF5026要(yao)具備全關有效(xiao)控制軟件系(xi)統(tong)，在這(zhe)當中的(de)兩個RF串(chuan)口(kou)(kou)都所在隔離情形。ADRF5026建議選用非條件反(fan)射(she)來設計，兩微波射(she)頻端口(kou)(kou)號(hao)均企業內部端接至50Ω。

ADRF5026要+3.3 V和(he)-3.3 V的雙電原(yuan)輸出功率。ADRF5026所用相輔相成金屬(shu)件脫色(se)物半(ban)導體行業/底壓晶胞管方(fang)式（CMOS/LVTTL）形式邏輯(ji)兼(jian)容管理。

ADRF5026與ADRF5027底頻截止日游戲(xi)版本管腳(jiao)兼容(rong)，幾率(lv)范圍(wei)內為9 kHz至(zhi)44 GHz。

ADRF5026頻(pin)射端口處(chu)一(yi)般說來適用于支持50Ω的性能指標(biao)特點(dian)抗阻切換(huan)(huan)。真(zhen)對(dui)寬度頻(pin)廠品，rf射頻(pin)數據文(wen)件線(xian)(xian)上線(xian)(xian)下的抗阻切換(huan)(huan)切換(huan)(huan)能夠逐漸(jian)驟建(jian)立完善低速率導(dao)入耗(hao)(hao)用費和回波耗(hao)(hao)用費性能指標(biao)。

ADRF5026用20絕緣端子、3 mm×3 mm、要(yao)求RoHS規格(ge)的(de)焊盤柵格(ge)陣列（LGA）芯片封(feng)裝，并(bing)能在-40°C至+105°C的(de)溫差條(tiao)件內(nei)工做。

的特點

超長視品(pin)率使用(yong)范(fan)圍：100 MHz至44 GHz

非全反射設計的概念

低添加材料耗費

1.2 dB至18 GHz

1.7 dB至26 GHz

2.4 dB至40GHz

3.8 dB至44 GHz

位置消毒

55 dB至(zhi)18 GHz

53 dB至26 GHz

50 dB至(zhi)40GHz

45 dB至44 GHz

高插入曲線度

P1dB:27 dBm典例(li)值

IP3:53 dBm典(dian)型案例值

高工作功率處里

24 dBm插入圖衰(shuai)減輸(shu)電線路

24 dBm分隔方式

全關環境有效控制

無超低(di)頻(pin)高壓發生器雜(za)散(san)走勢

0.1 dBrf射頻安全穩(wen)定(ding)時(shi)間段：類型數值40 ns

20接線(xian)鼻子，3mm×3mm LGA二極管封裝

管腳(jiao)與ADRF5027兼容，超低頻高壓發生器截(jie)止日期ios版(ban)本

技術應用

化工掃碼器

測評和實驗室設備

蜂(feng)窩狀核心(xin)公用設施網站建設：5G厘米波(bo)

軍工行業用wifi手機(ji)通信系統、聲納監測(ce)、網上(shang)抗衡機(ji)制(zhi)（ECM）

微波射頻無限(xian)網絡(luo)通訊和甚(shen)口子(zi)徑手(shou)持(chi)終端

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