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ADRF5132是款高耗(hao)油(you)率(lv)、反(fan)射層性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極(ji)、雙(shuang)擲（SPDT）光反(fan)射轉換開關(guan)(guan)，適(shi)(shi)用(yong)無(wu)電纜線表(biao)皮(pi)貼裝裝封的方式。該對(dui)換機特(te)點適(shi)(shi)當高輸出功(gong)率(lv)和蜂(feng)窩狀核心安(an)全設施(shi)建沒app，如(ru)長時變革（LTE）移動基站機。ADRF5132提供35 dBm LTE的高熱率(lv)凈化(hua)處理率(lv)（在(zai)105°C下的對(dui)數正態分布(bu)關(guan)(guan)鍵值），2.7 GHz下0.6 dB的低(di)放進去耗(hao)損，65 dBm的讀取三階截距(ju)（典范值）和42.5 dBm的0.1 dB縮減（P0.1dB）。

ADRF5132板上(shang)開關電(dian)(dian)源集成運放在5V的(de)某一(yi)正電(dian)(dian)源適配器相電(dian)(dian)壓和1.1mA的(de)明顯供(gong)電(dian)(dian)電(dian)(dian)流值(zhi)下加載，使ADRF5132形成根(gen)據pin電(dian)(dian)感的(de)電(dian)(dian)源開關的(de)很(hen)好化代(dai)替品。

ADRF5132選(xuan)擇使用具備RoHS規范的緊(jin)密型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封裝手段。

特征英文

反(fan)射層性，50?設置

低插入圖損失：2.7 GHz時其(qi)最典型的為(wei)0.6 dB

TCASE=105°C時的高(gao)輸(shu)出搞定

長準確時間（>10年運作）

最主要工作電壓：43 dBm

CW工(gong)作電壓：38 dBm

LTE峰(feng)峰(feng)值工(gong)作功率(lv)（8 dB標準單位桿數(shu)）：35 dBm

單惡性事件（<10秒(miao)操作流程）

LTE峰(feng)(feng)峰(feng)(feng)值(zhi)公率（8 dB標準化桿數）：41 dBm

高波形度

P0.1dB:42.5 dBm非常典型值(zhi)

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的主(zhu)要表現指標值(zhi)65 dBm

ESD額定值

HBM:2 kV，2級(ji)

CDM：1.25 kV

單正開關電源：5V

領域管控，兼容(rong)CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP芯片封裝組織形式

用途

蜂窩(wo)狀/4G基礎上(shang)安全設施項目(mu)建設

wifi網絡(luo)數(shu)據核心生活設施建(jian)設規劃

國防(fang)和高(gao)可(ke)信度性用途

自測機器設備

Pin整(zheng)流二極管重命名

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