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GTRB246608FC-V1高光電遷址率尖晶石管

上傳的時間:2024-11-20 16:51:18     瀏(liu)覽器:587

GTRB246608FC-V1是CREE的(de)市場(chang)上(shang)(shang)500瓦(wa)(P4dB)的(de)SiC上(shang)(shang)GaN高電(dian)子變更(geng)率氯化(hua)鈉晶體(ti)管(guan)(HEMT),銳意創新于多標準蜂窩狀工作功率拖動器APP標準制定。GTRB246608FC-V1掌握高效(xiao)性率和無(wu)軸環的(de)熱明顯(xian)增強封裝類型。

GTRB246608FC-V1.png

類產品規格尺寸

講述:高工作效率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz

最多幾率(MHz):2400

增益控制(dB):15.7

二(er)極管封裝種類:Earless

特證

典型示范脈沖(chong)發(fa)生器(qi)CW功效(xiao),2400 MHz,48 V,10μs輸入脈沖(chong)次(ci)數,10%占空比,組和輸送

P4dB=600 W時的輸送馬力(li)

P4dB=60%時的學習效(xiao)率

東莞市立維創展信息技術十分有限工司(si)授權文件供應商CREE微波加熱(re)元件,如果(guo)需購CREE護膚品,請鼠(shu)標點擊右面網(wang)上客服去(qu)在線留言的!!!

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