一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

WS1A2639-V1-R3K是CREE的的一款非對稱軸多赫蒂功效擴大器版塊（PAM），將GaN on SiC技術應運應運和專業化化的識別和偏置電壓電流線上ibms在遵循高端品牌排熱系統的兩層層壓基本材料上。WS1A2639-V1-R3K頻帶寬度位置在2496 MHz至2690 MHz。而且用到極高50V的外接電源電壓降；平均值內容輸出效率標準為6至8 W，比較高值指數公式走低，小數預失是否LTE和5G NR統計數據電磁波，瞬時帶寬的配置高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封禁裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）二極管封裝中。

類產品規格為

闡(chan)釋：38.5dBmGaN on SiC效率變小器控制器；2496-2690MHz

最低(di)值(zhi)頻帶寬(kuan)度（MHz）：2496

很高(gao)頻繁（MHz）：2690

P3dB導出(chu)最大(da)功(gong)率（W）：50

增加收(shou)益值（dB）：16.5

高效率（%）：57

固定(ding)電阻（V）：48

封口品目：外表貼裝

封裝(zhuang)：封裝(zhuang)分立單晶體管

技術性運用(yong)：SiC上的(de)GaN

顯著特點

GaN基SiC技術水平軟件應用

從元(yuan)件兩旁相結合導和很高值子調小器具備(bei)著柵極偏置線電(dian)壓(ya)電(dian)

模塊化化諧波華為(wei)設(she)備

無(wu)鉛并擁有RoHS標準化

個性(xing)化推薦的(de)驅程進行(xing)安裝是WSGPA01

河南(nan)市立(li)維創展信息技術有現(xian)司(si)(si)品(pin)牌授權(quan)供應(ying)商CREE徽(hui)波電子(zi)元件，要是還要購CREE護膚品(pin)，請(qing)彈窗左測人工服(fu)務去聯系公司(si)(si)！！！