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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的(de)SiC上GaN高自動化(hua)轉入率晶(jing)胞管(guan)（HEMT），用途(tu)在(zai)多(duo)標(biao)準化(hua)蜂窩狀最(zui)大功(gong)率變小器(qi)技能用途(tu)。GTRB226002FC-V1必備高效(xiao)化(hua)化(hua)和(he)無軸環的(de)熱改善封(feng)裝結構結構。

類產品年紀

說明(ming)：SiC HEMT上的高工作效率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

更低平率(lv)（MHz）：2110

高平率（MHz）：2200

P3dB模(mo)擬輸出功效（W）：450

增益值(zhi)值(zhi)（dB）：15

熱效率（%）：60

特征英文

常見(jian)的電磁(ci)CW功效：10μs脈沖信號橫向，10%pwm占空(kong)比，2200 MHz，48 V，Doherty卡具錯誤(wu)率=65%

增加收益值=14dB

P3dB=450W時的的輸出額(e)定功(gong)率

男模(mo)建模(mo)方法1B級（給(gei)出ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低傳熱系數

無鉛(qian)并滿足需(xu)要RoHS規格

GaN基SiC HEMT系統

上海市立維創展新材料技術有限制工廠管理權限供應商CREE微波(bo)射頻配件，要是必須(xu)要購CREE類產品(pin)，請(qing)單擊右則客服(fu)中心練習小編！！！