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GTRB204402FC/1是CREE的三款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器件遷入率結晶體管（HEMT），強院于多條件蜂窩狀電機功率變成器技術水平新技術應用供需定制。GTRB204402FC擁有優質率和無軸環的熱開展芯片封裝。

廠品尺寸

說明：SiC HEMT上(shang)的高工作功率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最(zui)低值(zhi)頻帶(dai)寬度（MHz）：1930

最低頻繁（MHz）：2020

P3dB輸入額定功(gong)率（W）：350

增加收益值（dB）：16.3

有學習效率(lv)率(lv)（%）：58

額(e)定功率端(duan)電壓（V）：48

封裝形式種(zhong)類：Earless

芯(xin)片封裝：芯(xin)片封裝分(fen)立晶胞管

技(ji)術(shu)性：SiC上的GaN

優點

其最(zui)典型的的脈沖信號CW機械(xie)性能，2020 MHz，48 V，10μs智能長寬(kuan)，10%pwm占(zhan)空比，搭檔(dang)工作輸出

P3dB=350W時(shi)的的輸出耗油率

P3dB時的科學規范率=65%

女模模板1C級（會(hui)按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛(qian)并(bing)充(chong)分考慮RoHS規定(ding)

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