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PXAE263708NB-V1是CREE的一種400瓦（P3dB）LDMOS FET，應運于2620至2690 MHz頻段的多規定蜂窩狀額定功率變大器的技術應該用。包括效果效果更換；高增加收益并且兼有無突緣的熱不斷增強封裝組織形式組織形式。PXAE263708NB-V1利用獨家的LDMOS藝高技術；PXAE263708NB-V1都具有成績突出的熱平穩性和成績突出的的安全的性能。

產品金橋(qiao)銅(tong)業跨接(jie)線的截面積大(da)小(xiao)

闡明：高電功率RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

極低聲音頻率（MHz）：2620

最(zui)底平(ping)率（MHz）：2690

P3dB讀取(qu)工作效率（W）：400

增(zeng)加(jia)收益（dB）：13.5

率（%）：47

額定容量交流電壓（V）：28

封裝專業類別：橡膠

二(er)極(ji)管封(feng)口：二(er)極(ji)管封(feng)口方式分立硫化鋅管

水平：LDMOS

特征描述

寬帶網內部人員(yuan)設(she)置輸出自適應

非(fei)相對性性Doherty裝修設計：主P1dB=140W一般值；是最高的值P1dB=260 W其(qi)最典型的值

典范(fan)的(de)(de)單脈沖CW性能特點；2655MHz；28v；多爾蒂(di)構(gou)型(xing)；AB類：P1dB=200W時的(de)(de)工作輸(shu)出(chu)諧波(bo)失(shi)真(zhen)；P3dB=400W時的(de)(de)輸(shu)出(chu)工作電(dian)壓；的(de)(de)效率=49%（POUT=57 W平均(jun)）；收(shou)獲=15 dB（POUT=57 W平均(jun)）

也可以除理32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）導出功(gong)效

集成式化ESD護理

無鉛并達到RoHS標(biao)準化

成都(dou)市立維創(chuang)展(zhan)科技開發有(you)限制的工廠管理權(quan)限生產商CREE微波加熱電子元件，如果想(xiang)要購CREE產品的，請點一下右測在線(xian)客(ke)服搞(gao)好關系公司(si)！！！