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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高工作效率RF GaN圖像額定功率增加器，采用于多規格蜂窩狀額定功率圖像額定功率增加器科技采用。GTRA262802FC擁有鍵盤輸入配適、有錯誤率和無軸環熱提升封口的性狀。

技(ji)術技(ji)術指(zhi)標技(ji)術指(zhi)標

具體分(fen)析(xi)：SiC HEMT的高工率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最便(bian)宜平率（MHz）：2490

極高(gao)頻次（MHz）：2690

P3dB輸出精度(du)工(gong)率(lv)（W）：250

增益控制值（dB）：14

速度（%）：54

穩(wen)定輸出(chu)功率（V）：48

封裝形式類(lei)型的：Earless

打(da)包芯片(pian)封(feng)裝：打(da)包芯片(pian)封(feng)裝分立(li)氯化(hua)鈉晶(jing)體管

技(ji)術性廣泛應用：SiC的GaN

特證

?GaN-on-SiC HEMT工(gong)藝APP

?錄入替換

?關(guan)鍵的脈沖造成的CW效果，2605 MHz，48 V，搭配組合讀(du)取，16μs電磁厚度，10%pwm占空(kong)比(bi)

-P3dB=250W時的輸入(ru)輸出(chu)額(e)定功率

-吸收率=62%

-收獲值=14.4 dB

?同樣在48 V、38 W（CW）輸入(ru)輸出電機功(gong)率(lv)下操作的(de)10:1 VSWR

?嫩模(mo)模(mo)形1A級（會(hui)按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱擴散系數

?無鉛(qian)并(bing)足夠RoHS原則

南京市立維創(chuang)展科持現有裝修公司授(shou)權(quan)文件生產商CREE微波加熱元器件封(feng)裝，倘若(ruo)必須要 購CREE成品，請鼠標點擊左側售后結(jie)合.我！！！