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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D策略圖像擴大器電路，使用到多標準化蜂窩狀輸出功率圖像擴大器電路高技術采用。GTVA261802FC-V1應具輸出替換、高效、性價比最高率和無軸環熱激發封裝類型的基本特征。

車輛樣式

談(tan)談(tan)：SiC HEMT上的(de)高電率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最便(bian)宜幀率（MHz）：2620

更(geng)大的幀率(lv)（MHz）：2690

P3dB轉換工作(zuo)電壓（W）：170

增益控制值（dB）：16.8

高效(xiao)性率(lv)（%）：43

額定負(fu)載電(dian)壓降（V）：48

封裝品目：Earless

打包封裝(zhuang)形(xing)(xing)式：打包封裝(zhuang)形(xing)(xing)式分立(li)單晶體(ti)管

系(xi)統：SiC上的GaN

癥狀

?GaN-on-SiC HEMT技巧

?導入匹配

?先進典型(xing)的電磁CW安全性(xing)能，組和傳(chuan)輸，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖(chong)激(ji)光高度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的(de)工作(zuo)輸出公率(lv)

-P3dB時的漏最高生產率=65.5%

-P3dB=15dB時的增加收(shou)益值(zhi)

?能已完成48 V、180 W（CW）所在(zai)電(dian)率下(xia)10:1的VSWR

?超模建(jian)模1A級(ji)（跟(gen)據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電公式

?無鉛并擁有RoHS標

東莞 市立維創展科技介紹現有介紹許可經售CREE微波加熱功率器件(jian)，假(jia)如必須 購CREE品(pin)牌，請(qing)打開右下克服溝通我們公司！！！