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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT有的是種網絡帶寬晶胞管基帶芯片，面向DC-3.5 GHz辦公展開了改善。該工作效率器件蘋果支持CW，脈寬和線形辦公，輸入工作效率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150異常運用于國防軍事數據通信，大陸架轉動手機手機無線電，民航電子儀器儀器，手機手機無線知識基礎公共設施，ISM應用和VHF / UHF / L / S頻譜雷達探測。運用SIGANTIC®工藝設計制造廠 - 的專有的GaN-on-Silicon枝術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出(chu)口分(fen)類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是高度一個想開主要用于頻射科技用途的GaN on Si科技批售商。自己在Si RF電率硫化鋅管食品上帶來了非常廣泛的反復波（CW）GaN，為分立電子裝備元器件和電源模塊，設汁工作的在DC至6 GHz。自己的高電率CW和線性wifi網絡硫化鋅管是商用航材電子裝備裝備，通訊，wifi網絡，長電磁預警雷達已經工業制造，專業和醫藥科技用途的夢想選取。自己的食品組合公式再生利用了MACOM高達60年的傳統化，即便是用GaN on Si科技帶來了原則和制作緩解措施，以充分滿足朋友最刻薄的要求。自己的GaN on Silicon食品，適用分立硫化鋅管和一體化變成器，適用0.52umHEMT方法，在電率，增益控制控制，增益控制控制平滑度，率個方面現象出市場大的的RF功能，