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　　Skyworks 的 ATN3580-03 題材統一衰減器處理處理器按照高電容率硅處理處理器上的膜電容器枝術，供應準確度的衰減、高平整度和將高達 40 GHz 的桌越回波自然損耗效能。　　管理處性能指標：　　膜技術：在高電阻器器率硅電子器件上集成化膜電阻器器器，作為更佳的電機功率補救力量。　　均衡 TEE 型式設計：選用均衡的 TEE 內阻型式設計抓好網絡帶寬寬性能指標。　　DC 衰減：所有的衰減器心片都特定了直流電壓(DC)衰減。　　幀率標準圖：衰減器設汁具備從 0.1 GHz 到 40 GHz 的幀率標準圖內的特點規定。　　工藝規模：　　標稱衰減：供應 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減首選項。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減出平整度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波耗損率：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波材料耗費：達到 16 dB，早以 40 GHz。　　額定額定功率加工：高達到 1 W 的間斷波(CW)額定額定功率加工效率。　　廣泛應用特點：　　低概率安全性能：設計的概念需要滿足達到 40 GHz 的概率規范，采使用低頻技術應用。　　高回波耗費：確保安全表現的高正品高速傳輸。　　高精度衰減：可以提供高精度的衰減值和容差，需要滿足高精度把控好的信號力度的需求分析。　　抗造性：薄膜和珍珠棉硅集成塊成分穩固抗造，非常適合不斷固定操作。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40