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披露時候(hou):2024-06-07 08:41:20 查詢:961
CREE的(de)(de)(de)CMPA5585025F是一(yi)款基于(yu)氮化鎵(jia)(GaN)高(gao)(gao)電(dian)子(zi)遷移率(lv)晶體管(HEMT)的(de)(de)(de)單片(pian)微波集成電(dian)路(MMIC)。相比硅或砷化鎵(jia),GaN具(ju)有(you)更(geng)(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)性能,包(bao)括更(geng)(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)擊穿電(dian)壓(ya)、更(geng)(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)飽和(he)(he)電(dian)子(zi)漂移速度和(he)(he)更(geng)(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)導熱性。與Si和(he)(he)GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更(geng)(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)功率(lv)密(mi)度和(he)(he)更(geng)(geng)寬的(de)(de)(de)帶寬。該MMIC采用10引(yin)線金屬/陶瓷法(fa)蘭封裝,具(ju)有(you)最佳的(de)(de)(de)電(dian)氣和(he)(he)熱性能。

特性:
25db小預警增加收益 35w典型案例PSAT 事情高達到28 V 高額定電壓擊穿額定電壓 高溫度操作步驟 盡寸1.00 x 0.3859英寸 該rf射頻變成器可于一對一wlan電、通信設備設備和定位通信設備設備上行速率等運用。Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):
| Parameter | 5.8 GHz | 6.4 GHz | 7.2 GHz | 7.9 GHz | 8.4 GHz | Units |
| Small Signal Gain | 29.5 | 24.0 | 24.0 | 24.0 | 22.0 | dB |
| Output Power1 | 15 | 23 | 20 | 19 | 19 | W |
| Power Gain1 | 21.7 | 19.5 | 17.2 | 18.5 | 18.6 | dB |
| Power Added Efficiency | 30 | 25 | 20.5 | 19 | 19.5 | % |
佛山市立維創展網絡是CREE的生產商商,享用CREE微波加熱元件資源優勢購貨的渠道,并長久貨源現貨交易,以備不時之需國內 股票市場實際需求。