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UMS微波加熱CHK5010-99F是一款(kuan)革命(ming)性的4W氮化鎵高電子遷移率晶(jing)體(ti)管(GaNHEMT)，可(ke)為各(ge)種射(she)頻(pin)功率應用提(ti)供多(duo)功能寬帶解決(jue)方案(an)。該產品在SiC襯底上采(cai)用GaNHEMT技(ji)術制造，確保(bao)了(le)優(you)異(yi)的性能和可(ke)靠性。

單晶體管以裸晶片方式打造，必須要 外部鏈接搭配電源線路就可以完全利用其空間。只不過，當是此類方案特色詮釋了CHK5010-99F充沛的的功能和多的軟件空間。常見的特點也包括其精湛的聯通寬帶程度，支持軟件將高達12 GHz的電磁和陸續波的操作。研究背景GaN技藝，該方案可進行目標高傷害和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時進行目標最優特點。除外，該處理器更具0.90x0.80x0.1mm的緊湊型suv厚度，縱使在異常的發展空間中也就可以簡單結合。拋開其有遠見的耐磨性，CHK5010-99F還貼合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006原則，切實保障生態環境保護和安全性。這讓玩家在取舍和選用產品的時安安心心，而用不著因為對生態環境的克影向。自始至終，CHK5010-99F都是款必玩認可的穩定性卓越方面GaN氯化鈉晶體管，更具廣泛的的運用和很棒的能力。其從未有過難往印象難往的穩定性方面和適用這個行業基準使其將成為頻射工作電壓運用的靠普使用，為該范疇確立了新的機會性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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