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公布時光:2018-08-21 15:22:20 預覽:2372
CMD216有的(de)是款(kuan)5.6 W GaN MMIC公率變成器IC芯片,越來越最合適Ku頻段通(tong)(tong)訊(xun)技術平臺,至少高公率和(he)高非線性(xing)(xing)度是至關極(ji)為(wei)重要(yao)的(de)設置(zhi)(zhi)的(de)要(yao)求(qiu)。該圖像(xiang)運放(fang)電(dian)(dian)路具備不低(di)于16 dB的(de)收(shou)獲,相(xiang)同的(de)工作模擬(ni)輸出(chu)1 dB降低(di)點為(wei)+37 dBm,飽合工作模擬(ni)輸出(chu)電(dian)(dian)率為(wei)+38 dBm,電(dian)(dian)率額(e)外(wai)添加(jia)效果為(wei)32%。CMD216變成器通(tong)(tong)過50歐姆配(pei)比(bi)(bi)來設計,不同外(wai)鏈DC包塊和(he)RF端口設置(zhi)(zhi)配(pei)比(bi)(bi)。CMD216 MMIC還(huan)供應全鈍化,以提高了可(ke)信度性(xing)(xing)和(he)防霉(mei)性(xing)(xing)。
品牌
型號
貨期
Custom mmic
CMD216
3-4周
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頻率 (GHz):DC - 32
增益 (dB):11-30
噪聲 系數 (dB):3-6.5
優點
CUSTOM MMIC功率放大器用于射頻功率放大器設計的C,X,K,Ku和Ka波段GaAs和GaN MMIC
性能參數
典例
頻段(GHz)
14-18
增加收益(dB)
16
噪音污染常數(dB)
相位噪聲源(dBc / Hz)
傳輸P1dB(dBm)
37
效果Psat(dBm)
38
OIP3(dBm)
43
偏置線電壓Vdd / Vgg(V)
+28 / -3.4
偏置電壓(mA)
550
通常情況下,基礎科學的RF /徽波射頻模式制定和子配件的長度接受制約,另外要比目前技術水平很高的波形網絡度依據。定制網站MMIC努力于能帶來了帶來了RF /徽波射頻模式很高工率和高波形網絡需求量的GaAs和GaN工率縮放器(PA),也能帶來了具備著聯通寬帶寬的中型裸片和界面貼裝(SMT)封裝。致使清楚最加的電子商務使用性能僅占一半兒,Custom MMIC能帶來了一些工率縮放器,用到50歐姆相配制定和單一化的正偏置電額定電壓,可消減了很復雜的偏置隊列,導致消減了價格并節省了發展空間。一些性能還分為:高輸出電壓工率,高波形網絡度和桌越的轉化率。高工率比熱容GaN MMIC制定也是可的。