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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

最中，許多人竭盡全力的優秀成果導致無源GaN混頻器結構開發在錄入三階交調截點（IIP3）與本地人自激振蕩器（LO）動力器的比列各方面超所有砷化鎵（GaAs）無源混頻器結構開發 - a品質因素個人定制MMIC稍后創建曲線網絡工作熱效率。從S頻譜到K頻譜（2 GHz到19 GHz），這一些新形無源GaN混頻器分享的IIP3數值遠大于30 dBm，LO動力電平約為20 dBm，曲線網絡工作熱效率大于10 dB。

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