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頒布時間間隔(ge):2018-07-12 16:10:34 查詢:1929
XF1001-SC一(yi)款高線(xian)型度(du)的Hetrojunction場負效(xiao)應(ying)納米線(xian)管(HFET),選用工(gong)藝規則(ze)SOT-89裝(zhuang)封。當元器(qi)偏(pian)置在8V的漏極額定電(dian)壓和300m的漏極感應(ying)電(dian)流(liu)時,都可以(yi)構建絕佳能。在偏(pian)置點,電(dian)子元器(qi)件(jian)能夠帶來可超出(chu)30 dBm的P1dB和可超出(chu)46 dBm的OIP3。XF1001-SC選使用于達6 GHz的利用,其(qi)增益值為10 dB。
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MACOM
XF1001-SC
封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管
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