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XF1001-SC高線形度的Hetrojunction場相應晶胞管(HFET) MACOM期貨

頒布時間間隔(ge):2018-07-12 16:10:34     查詢:1929

封裝的HFET

XF1001-SC一(yi)款高線(xian)型度(du)的Hetrojunction場負效(xiao)應(ying)納米線(xian)管(HFET),選用工(gong)藝規則(ze)SOT-89裝(zhuang)封。當元器(qi)偏(pian)置在8V的漏極額定電(dian)壓和300m的漏極感應(ying)電(dian)流(liu)時,都可以(yi)構建絕佳能。在偏(pian)置點,電(dian)子元器(qi)件(jian)能夠帶來可超出(chu)30 dBm的P1dB和可超出(chu)46 dBm的OIP3。XF1001-SC選使用于達6 GHz的利用,其(qi)增益值為10 dB。

品牌 型號 描述 貨期 庫存
MACOM XF1001-SC 封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管 現貨 256


特征
  •  46.5 dBm OIP3 @ 5.8 GHz
  •  SOT-89裝封
  •  30.0 dBm P1dB
  •  10.0 dB增益控制@ 6 GHz
  •  @ 2 GHz時15.5 dB收獲
應用
  •  飛防空間科學與航空航天
  •  wlan網格和光纖通信
的產品(pin)的規(gui)格
  • 面積最小規律:0 MHz
  • NF:4.5 dB
  • 偏置電壓值:8 V.
  • 增益控制:15.5 dB
  • 輸送P1dB:30 dBm
  • OIP3:46.5 dBm
  • 偏置電流大小:300 mA
  • 主要幾率:6,000 MHz

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