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HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為(wei)低(di)成(cheng)本通(tong)(tong)(tong)用(yong)型雙(shuang)通(tong)(tong)(tong)道SPDT GaAs“旁路”開(kai)關(guan)，采(cai)用(yong)8引腳MSOP封裝，頻率范圍(wei)為(wei)DC至2.5 GHz。 這(zhe)四個RF端口(kou)部件將兩個SPDT開(kai)關(guan)和一(yi)條(tiao)直(zhi)通(tong)(tong)(tong)線集成(cheng)到單個IC上。 這(zhe)些(xie)設計提供小于0.5 dB的低(di)插(cha)入(ru)損耗，同時(shi)在信號路徑(jing)內外切換(huan)無源或有(you)源外部電(dian)路元件。 端口(kou)間隔離通(tong)(tong)(tong)常為(wei)25至30 dB。 立維創展片內電(dian)路在極低(di)直(zhi)流(liu)電(dian)流(liu)時(shi)采(cai)用(yong)正電(dian)壓控(kong)制工作(zuo)，且控(kong)制輸入(ru)兼容(rong)CMOS和大多數TTL邏輯系列。 此類應用(yong)包括(kuo)LNA或濾波器旁路開(kai)關(guan)和單位衰(shuai)減器開(kai)關(guan)。 HMC199AMS8E產(chan)品(pin)符合RoHS標準。若您有(you)任意困惑，請(qing)結(jie)合當(dang)自(zi)(zi)己立維創展，當(dang)自(zi)(zi)己會盡(jin)上限盡(jin)力用(yong)心服務保(bao)障。

HMC199AMS8E應(ying)用領域

• 蜂窩 
• ISM基站  
• PCS

HMC199AMS8E優勢和特點

HMC199AMS8E結構圖